Fe、Ir掺杂单层MoS2的构型及电子结构的第一性原理研究

作者：肖香珍; 银召利; 张建伟; 胡林峰

来源：河南科技学院学报(自然科学版), 2022, 50(02): 7-13.

• MoS2
• 密度泛函理论
• 态密度
• 掺杂

采用密度泛函理论方法对MoS2完整表面、吸附式掺杂和替换掺杂缺陷MoS2表面(Fe-MoS2、Ir-MoS2)的构型、电子结构进行了研究.结果表明：通过比较Fe、Ir原子吸附的吸附能，发现Ir比Fe在表面的吸附性更强,且在Mo原子的上方吸附最强,电子态密度分析说明了在Z方向上，Mo原子的4dyz、4dz2、4dxz轨道与Ir原子的5dyz、5dz2、5dxz态密度峰存在不同程度的混合,特别是dz2轨道之间存在明显混合;Fe、Ir金属原子掺杂替换本征表面MoS2的S、Mo原子的计算结果显示,单层MoS2的S位置更容易被替换形成掺杂体系,S位掺杂体系稳定性强于在Mo位掺杂体系,且电子态密度计算显示掺杂替换S原子后金属Ir有效调控了MoS2的电子结构,激活了替换原子Ir附近Mo的反应活性.

• 出版日期2022
• 单位河南科技学院新科学院; 河南科技学院