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摘要
本发明公开了一种二硫化钼/铯铅溴复合光电探测器及其制备方法,其是在绝缘衬底上通过双源气相法沉积有CsPbBr-3薄膜,在CsPbBr-3薄膜上通过旋涂MoS-2纳米晶溶液,使MoS-2纳米晶钝化CsPbBr-3薄膜表面的晶界及缺陷并与CsPbBr-3薄膜形成异质结。与纯CsPbBr-3光电探测器相比,本发明的复合光电探测器的光电性能显著提高,具有响应度高、响应速度快、比探测率高的优势；同时,本发明的复合光电探测器在无任何封装情况下,暴露在空气中4个月后性能仍保持在最初的90％以上,具有优异的稳定性。
- 出版日期2023-4-7
- 单位合肥工业大学
