一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法|科研之友

摘要

本发明公开了一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法，该器件包括外延基片、n+GaN外延层、源极、漏极、金属互联层、栅极、栅桥和栅介质层，外延基片自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN帽层和GaN帽层，n+GaN外延层包括分布在外延基片内部两侧的第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层，源极和漏极分别位于第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层的上表面，栅极中的多个侧栅间隔设置在第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层之间靠近中心的位置，栅桥在栅极的上表面，金属互联层位于源极、漏极和栅极的上表面，栅介质层覆盖在金属互联层外围下方的器件的上表面。本发明能够改善N面HEMT器件中射频耗散严重的问题以及降低了寄生通道对沟道层通道开关的影响。

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