高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究

作者：唐海林; 凌宏芝

来源：电子元件与材料, 2007, (09): 59-61.

• 电子技术
• MEMS
• 体硅溶片工艺
• 高浓度硼深扩散
• 自停止腐蚀
• 预淀积
• 再分布 electron technology
• MEMS
• bulk silicon dissolved wafer process
• deep boron diffusion
• etch-stop
• pre-deposition process
• drive-in process

为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究。结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。扩散所得硅片的测试结果与理论计算相当吻合,当再分布与预淀积时间比为1.5倍时,扩散结深为21.7μm,自停止腐蚀层为14μm。

• 出版日期2007
• 单位中国工程物理研究院电子工程研究所