分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析

作者：韩培德杨海峰杨辉林耀望张泽李新峰周增圻

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1999, (01): 59-62.

• 分子束外延
• GaN/GaAs
• 立方相
• 异质结构
• 外延层
• 失配位错
• 面缺陷
• 透射电子显微镜
• 孪晶形成
• 显微分析

运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相ＧａＮ／ＧａＡｓ异质微观结构．在ＧａＮ外延层中，观察到大量的、不对称的｛１１１｝面缺陷（层错和微孪晶），以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的生成机理进行了讨论

• 出版日期1999
• 单位中国科学院半导体研究所