锰掺杂对Ba(Zr,Ti)O_3陶瓷压电与介电性能的影响

作者：丁南; 唐新桂; 匡淑娟; 伍君博; 刘秋香; 何琴玉

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (09): 6613-6619.

• Ba(Zr
• Ti)O3陶瓷
• 锰掺杂
• 介电性能
• 压电性能 Ba(Zr
• Ti)O3 ceramics
• Mn-doping
• dielectric properties
• piezoelectric properties

采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr0.06Ti0.94)O3陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba(Zr0.06Ti0.94)MnxO3(BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x<0.5mol%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x>0.5mol%时进入晶界,过量的锰将在晶界积聚对畴壁和晶界起钉扎作用,从而降低压电性能.随着锰掺杂量进一步增加,弛豫程度变得明显,弥散指数增加.当锰掺杂量为x=0.3%—0.4%范围时,获得d33值为195—220pC/N,介电常数εr为7500以上,损耗tanδ低于2%的性能优良压电陶瓷.

• 出版日期2010
• 单位华南师范大学; 广东工业大学