3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

作者：王宁章; 唐江波; 秦国宾; 卢安栋; 罗婕思

来源：电子技术应用, 2011, (09): 53-55+59.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.2011.09.026

• CMOS
• 超宽带
• 低噪声放大器
• 高阶带通滤波器
• 并联低Q值负载结构 CMOS
• ultra-wideband(UWB)
• low-noise amplifier
• high-order band-pass filter
• parallel low-Q load structure

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB～4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。

• 出版日期2011
• 单位广西大学