S掺杂CeO2的第一性原理计算

作者:张明举; 李文明; 吴一; 刘晨吉; 闫小兵; 郑树凯
来源:中国粉体技术, 2016, 22(02): 89-93.
DOI:10.13732/j.issn.1008-5548.2016.02.021

摘要

为了探究S杂质对CeO2体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过S原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的CeO2-xSx模型,并对CeO2的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。结果表明:S掺杂后CeO2的晶格常数发生改变;S掺杂使体系的导带和价带均向低能方向移动,随着掺杂浓度的增大,禁带宽度先减小后增大,并在禁带中引入3条杂质能级;CeO2吸收边红移,并且随着掺杂浓度的增大,对可见光的吸收增强,对紫外光的吸收减弱。

  • 出版日期2016
  • 单位电子信息工程学院; 河北大学

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