AlGaAs插入层对InAs/AlGaAs/GaAs量子点的尺寸分布影响

作者：张之桓; 丁召; 王一; 郭祥; 罗子江; 杨晨; 杨晓珊; 许筱晓

来源：贵州大学学报(自然科学版), 2018, 35(03): 39-43.

DOI：10.15958/j.cnki.gdxbzrb.2018.03.06

• MBE
• STM
• S-K模式
• InAs/AlGaAs/GaAs
• 量子点

采用MBE系统,在GaAs(001)表面用S-K模式分别在原子级平坦的GaAs和AlGaAs/GaAs表面沉积3 ML的InAs量子点,利用STM研究了AlGaAs插入层对InAs/GaAs量子点尺寸分布的影响。研究发现,AlGaAs插入层会使InAs/GaAs量子点平均尺寸变小,而尺寸分布变得分散;采用不同的InAs沉积速率生长量子点,发现随着InAs沉积速率的加快,量子点平均尺寸变小,密度增大,尺寸分布更为集中。

• 出版日期2018
• 单位贵州大学; 贵州财经大学