摘要

将PIN半导体制作成特殊组合结构的PIN脉冲中子探测器 ,利用三通道装置产生的γ脉冲和中子发生器DT反应产生的 14MeV中子脉冲对探测器进行了研究 .结果表明 :PIN脉冲中子探测器对脉冲γ辐射不灵敏 ,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射转换靶 ,探测器的信噪比达到30∶1,是一种在中子、γ混合脉冲辐射场中测量脉冲中子的新型探测器

  • 出版日期2004
  • 单位中国工程物理研究院核物理与化学研究所; 中国工程物理研究院电子工程研究所