非平衡磁控溅射沉积Ta-N薄膜的结构与电学性能研究

作者：杨文茂; 张琦; 陶涛; 冷永祥; 黄楠

来源：功能材料, 2006, (10): 1593-1595+1602.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2006.10.023

• Ta-N
• 薄膜
• 非平衡磁控溅射
• 反应溅射
• XRD
• 电阻率 tantalum nitride
• film
• unbalanced magnetron sputtering
• reactive sputtering
• XRD
• resistivity

采用直流反应非平衡磁控溅射技术在单晶Si(100)和玻璃表面沉积氮化钽(Ta-N)薄膜,分别测试了薄膜的结构、成分、电阻率和吸收光谱,研究了氮氩流量比(N2∶Ar)变化对Ta-N薄膜的结构和电学性能的影响。研究结果表明随N2∶Ar增加,依次生成六方结构的-γTa2N、面心立方结构(fcc)的-δTaNx、体心四方结构(bct)的TaNx;N2∶Ar在0.2~0.8的范围内,Ta-N薄膜中只存在着fcc-δTaNx;当N2∶Ar>1之后,Ta-N薄膜中fcc-δTaNx和bct TaNx共存。Ta-N薄膜电阻率随N2∶Ar流量比增加持续增加,当N2∶Ar为1.2时,薄膜变为绝缘体,光学禁带宽度为...

• 出版日期2006
• 单位中国工程物理研究院机械制造工艺研究所; 西南交通大学