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Assessing the role of trap-to-band impact ionization and hole transport on the dark currents of 4H-SiC photoconductive switches containing deep defects (vol 120, 245705, 2016)
作者:Chowdhury A R; Dickens J C; Neuber A A; Joshi R P
*
来源:
Journal of Applied Physics
, 2018, 123(8): 089902.
DOI:10.1063/1.5024918
出版日期
2018-2-28
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