n型SiC极性面对欧姆接触性质的影响

作者：王翎; **升; 徐现刚

来源：半导体技术, 2014, (09): 694-698.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.012

• n型碳化硅
• 碳面和硅面
• 欧姆接触
• I-V曲线
• 比接触电阻 n-type silicon carbon
• carbon and silicon terninated faces
• ohmic contact
• I-V curve
• specific contact resistance

研究了n型碳化硅(SiC)极性表面、载流子浓度和退火温度对欧姆接触的影响,测试了不同样品的电流-电压曲线,并通过传输线方法计算比接触电阻。对于SiC衬底的硅面,GeNiTiAu合金材料的欧姆接触特性最好;而对于碳面,TiAu合金材料的接触电阻最小。衬底载流子浓度由1.5×101 7cm-3逐步提高到2.0×1018cm-3,金属与n型SiC衬底硅面的接触由肖特基接触变为欧姆接触,欧姆接触电阻随着载流子浓度的提高而明显降低。GeTiAu合金与SiC衬底硅面的接触电阻随着退火温度的提高非单调降低,900℃为最优退火温度。原子力显微镜结果显示,退火后样品表面粗糙度明显提高。

• 出版日期2014
• 单位山东大学