基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究

作者：范紫菡; 毕津顺; 罗家俊

来源：微电子学与计算机, 2011, (12): 40-45.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2011.12.010

• 深亚微米部分耗尽SOI器件
• 单粒子翻转
• SPICE模型
• 三极管参数提取
• TCAD仿真 deep submicron PDSOI device
• SEU
• SPICE model
• BJT parameter extraction
• TCAD simulation

通过研究半导体器件单粒子翻转的物理机制,利用Synopsys TCAD工具对基于中国科学院微电子所开发的0.35μm部分耗尽SOI器件进行单粒子翻转的模拟,讨论了器件模拟物理模型的选择,验证了理论分析的正确性,并对重离子撞击引起的瞬态电流过程进行分析.分析表明单粒子翻转存在两个放电阶段,第一阶段过量电子漂移扩散电流组成激增电流部分;第二阶段部分耗尽SOI器件寄生三极管放电机制以及过量空穴放电机制引起的缓慢电流放电"尾部".结合激增电流的物理意义,提出合理的数学模型,推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的"尾部"电流,提出子电路模型,并基于SPICE三极管模型进行参数提取,着重讨论了单粒子...

• 出版日期2011
• 单位中国科学院微电子研究所