<正>低温多晶硅薄膜晶体管的研究已然成为全球研究热点,本文针对低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)普遍存在的漏电流大的技术问题,展开关于低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的几项专利技术研究进展的分析,主要涉及多晶硅有源层的相关技术改进。近年来,随着显示技术的迅速发展,尤其是液晶显示技术领域的发展,对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)半导体有源层的电子迁移率要求要来越高。
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