亚微米尺寸金属电极的制备工艺

作者：湛治强; 阎大伟; 熊政伟; 沈昌乐; 彭丽萍; 罗跃川; 王雪敏; 吴卫东

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2015, (04): 646-648+658.

• 双层胶
• 亚微米
• 电子束曝光
• 金属电极 bilayer photoresist
• submicron
• electron beam lithography
• metal electrode

亚微米尺寸金属电极在高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体电子学器件中有重要应用,其制作是器件制作中的关键工艺,对器件性能有着重要影响。本文选择合适的涂胶旋转转速、烘烤温度(180℃)和时间,可以有效地减少电子束曝光后所产生的气泡。通过对聚甲基丙烯酸甲酯/聚二甲基戊二酰亚胺(PMMA/PMGI)双层胶进行电子束曝光和显影,确定了合适的曝光剂量为550μC/cm2。通过调整显影液配比,并将显影时间控制在合理范围,获得了光滑完整的PMMA/PMGI双层光刻胶曝光图形。开发了双层光刻胶电子束曝光工艺,制备出宽度为200 nm的金属电极。

• 出版日期2015
• 单位中国工程物理研究院激光聚变研究中心; 中国工程物理研究院