本文采用有限元软件模拟了直径200mm单晶硅生长过程中不同旋转、提拉速度下晶体的温度场的分布规律，为硅单晶CZ生长的工艺优化提供参考。实验发现随着拉速的增大，坩埚中熔体的温度梯度产生了明显的变化。坩埚壁处温度较高，固液界面下方温度较低，随着拉速的增大，坩埚壁处的高温区域逐渐减小，固液界面下方的低温区逐渐增大且温度梯度降低。当转速较小时，硅熔体与晶体的温度梯度较大。随着转速的增大，硅熔体与晶体的温度梯度逐渐降低。
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