Al_xGa_(1-x)Sb三元混晶电子结构和光学性质的第一性原理研究

作者：毛青琴; 赵**; 王舒东; 梁希侠

来源：中国科技论文, 2017, 12(17): 2008-2011+2017.

• 第一性原理
• 三元混晶
• AlxGa1-xSb
• 电子结构
• 光学性质

为更加深入地了解混晶效应对半导体材料性质的影响,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿结构三元混晶AlxGa1-xSb（0≤x≤1）的电子结构和光学性质。通过对不同Al组分三元混晶AlxGa1-xSb的总能量与形成能的计算比较,获得了稳定结构AlxGa1-xSb的晶格常数,同时计算了AlxGa1-xSb在不同Al组分的电子结构,讨论了带隙、能带结构和态密度等随Al组分的变化规律。计算结果表明:混晶的带隙随Al组分的增加而增大;能带结构由下、中、上价带和导带4个部分构成,给出了晶格常数、带隙随Al组分变化的拟合公式;计算了AlxGa1-xSb材料的复介电函数、高频/静态介电常数和吸收光谱随Al组分的变化情况,发现高频与静态介电常数随Al组分增加而降低,吸收光谱发生蓝移,与实验观测值和其他的理论结果相符。

• 出版日期2017
• 单位内蒙古大学