(1-x)Bi_4Ti_3O_(12-x)BaTiO_3高T_C压电陶瓷的结构与性能研究

作者：李博; 高峰; 刘亮亮; 许贝; 曹宵; 田长生

来源：压电与声光, 2011, (01): 111-114.

• 1-x)Bi4Ti3O12-xBaTiO3(BIT-BT)
• 高居里温度
• 相结构
• 电性能 BIT-BT
• high curie temperature
• phase structure
• electrical properties

采用固相合成法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xBaTi O3(BIT-BT)压电陶瓷材料,研究了BaTi O3含量对BIT-BT陶瓷显微组织结构及电性能的影响规律。结果表明,BIT-BT陶瓷主要由Bi Ti3O12和BaTi O3两相组成,当0.1≤x(BT)≤0.7时,材料中出现BaBi4Ti4O15相。随着BT摩尔分数的增加,居里温度TC逐渐降低,介电常数εr逐渐增大,介电损耗tanδ和压电常数d33先增大后减小。当材料组分为0.6BIT-0.4BT时性能达到最佳,其TC=455℃、εr=147、tanδ=0.011、d33=20 pC/N。

• 出版日期2011
• 单位西北工业大学