电沉积Pt微岛对单晶n-Si光阳极行为的影响

作者：范宏斌范钦柏邓薰南

来源：太阳能学报, 1990, (04): 429-433.

• 电沉积
• 光阳极
• Pt
• n-Si
• 转换效率
• 光电化学电池
• 不连续
• 氧化还原
• 沉积条件
• 直径范围

用电沉积法在n-Si单晶表面上制得微细的不连续Pt岛,测得最佳的电沉积条件与最适当的氧化还原偶。在63mW/cm~2白光照射下,I_(sc)为21mA/cm~2,V_(oc)为0.57伏,转换效率达12.1％。 用SEM、XPS及AES测量n-Si/Pt电极表面。对实验结果进行了详细讨论。

• 出版日期1990
• 单位上海科技大学