科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管。基于Medici仿真计算结果,并利用两环简化模型结构,给出了耐压5 800 V终端结构各个场限环之间的优化间距。终端整体仿真结果表明:该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好地抑制了结边缘部分的电场集中效应,击穿时所有场限环的峰值电场基本相同,达到了优化设计的目的。通过流片验证,采用该终端结构设计的4H-SiC肖特基势垒二极管击穿电压大于5 500 V,达到理想值的90%以上,充分验证了该终端设计方法的可行性。
- 出版日期2017
- 单位中国电子科技集团公司第十三研究所; 全球能源互联网研究院
