登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
ANNEALING CHARACTERISTICS AND LATTICE SITE LOCATION OF 40 KEV SN IMPLANTATIONS IN GAAS
作者：FINSTAD TG; ANDERSEN SL; OLSEN T
来源：
Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science
, 1974, 25(2): 515-521.
DOI：10.1002/pssa.2210250218
出版日期
1974
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
