纳米SiO_2掺杂的In2O_3厚膜气敏传感器稳定性研究

作者:邓小双; 张顺平; 赵野; 杨超群; 熊雅
来源:传感器世界, 2014, 20(02): 9-13.
DOI:10.16204/j.cnki.sw.2014.02.005

摘要

采用丝网印刷技术,制备了纳米SiO2掺杂的In2O3厚膜气敏传感器,并通过加速寿命试验对乙醇气氛下传感器的稳定性进行探究。通过长期测试发现纳米SiO2的掺入明显地提高了In2O3气敏传感器的稳定性。此外,当SiO2的掺杂浓度控制在5wt%左右时,In2O3气敏传感器的气敏性能也有了很大的提高。结合实验数据,对SiO2提高In2O3气敏传感器稳定性与敏感性的微观机理做了深入分析。

全文