利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子空穴被最有效约束,激子态最稳定.
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