分子束外延CdTe(211)B/Si复合衬底材料

作者：陈路; 王元樟; 巫艳; 吴俊; 于梅芳; 乔怡敏; 何力

来源：红外与毫米波学报, 2005, (04): 245-249.

• 分子束外延
• 碲化镉
• 硅基

报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTeIRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRDFWHM平均值为120arcsec,最好达到100arcsec,无(133)孪晶和其他多晶晶向.

• 出版日期2005-8-25
• 单位中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院大学