利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积a-Si薄膜,采用铝诱导晶化法(AIC)在氮气气氛下进行快速退火处理制备出poly-Si薄膜。研究了不同的热处理条件对a-Si薄膜微观结构、表面形貌的影响,通过XRD、Raman、SEM等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征。结果表明:铝膜的厚度为1μm时,在450℃下退火10 min,薄膜样品开始向poly-Si薄膜转变,并且随着退火温度的升高和退火时间的增加,晶化程度加强。
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