摘要

报道了使用SiO2 介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验 ,得到 2 0 0nm的最大带隙波长蓝移 .另外 ,采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器 ,其性能与未混杂的激光器相当