选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究

作者：王正鑫; 卢文壮; 黄群超; 王晗; 胥军; 左敦稳

来源：人工晶体学报, 2013, (08): 1537-1542.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2013.08.012

• 金刚石
• 碳化硅
• 氯气
• 热力学
• 选择性刻蚀 diamond
• silicon carbide
• chlorine
• thermodynamics
• selective etching

在高温下Cl2+H2体系可促使SiC转化为金刚石。论文从热力学角度分析了Cl2选择性刻蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围。建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型,根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制。

• 出版日期2013
• 单位南京航空航天大学