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摘要
本发明公开了一种锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法,包括如下步骤：S1取一基底经多种溶剂依次超声处理后,得到洁净基底；S2将二氯化锡与三氯化锑混合均匀后置于坩埚中；S3将经S1步骤后得到的洁净基底置于S2步骤的坩埚中,将坩埚转移到加热装置中,保持恒定速度升温至指定温度保温一定时间后将加热装置降至室温；S4将S3步骤处理后的洁净基底置于稀盐酸溶液中超声处理后洗涤、干燥得到锑掺杂二氧化锡导电薄膜。本发明的锑掺杂二氧化锡导电薄膜的制备方法简单、易行、可控且成本低,利于大规模生产。本发明主要通过调控前驱体二氯化锡与三氯化锑的质量比,获得不同电导率的锑掺杂二氧化锡导电薄膜。
- 出版日期2021-9-18
- 单位西安电子科技大学
