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摘要
随着微电子技术的进步,超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸已经步入纳米范围。纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点,因此为制造和设计都带来了很多难题,诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等,为了保证设计的进度和质量,就必须针对这些特点进行深入分析,并建立全新的分析设计方法和手段。
- 出版日期2008
- 单位中国科学院计算技术研究所
随着微电子技术的进步,超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸已经步入纳米范围。纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点,因此为制造和设计都带来了很多难题,诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等,为了保证设计的进度和质量,就必须针对这些特点进行深入分析,并建立全新的分析设计方法和手段。
