电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫

作者：钟雨乐; 刘伟平; 黄君凯

来源：半导体技术, 2001, (02): 56-57.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2001.02.015

• 电子辐照
• 非晶硅微晶化
• 太阳电池

氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）的结构弛豫是导致α－Ｓｉ：Ｈ性能光诱导衰变的重要原因之一。用０．５ＭｅＶ、注量１．３ × １０２０ｅ／ｃｍ２的电子束辐照，α－Ｓｉ转化为微晶硅，不稳定的弱Ｓｉ－Ｓｉ键因断裂而减少。 α－Ｓｉ光电池的相应试验初步证实，合适的电子辐照可以缓解α－Ｓｉ的结构弛豫现象。

• 出版日期2001
• 单位暨南大学