不同生长温度下Zn1-xSbxO薄膜的结构与发光性能研究

作者：朱建华; 潘婧; 岳建明; 郝丽萍; 支鹏伟; 贾哲

来源：真空, 2023, 60(03): 18-23.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2023.03.04

• PLD法
• Zn1-xSbxO薄膜
• 光致发光
• 缺陷复合体SbZn-2VZn
• 非辐射复合

采用固相反应法制备了不同比例的Sb掺杂ZnO靶材，并用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)基底上制备了Zn1-xSbxO薄膜。通过XRD、光致发光(PL)谱对所制薄膜进行了结构表征和性能分析，探讨了不同Sb掺杂量和不同生长温度对薄膜结晶质量和发光性能的影响。结果表明：对比纯ZnO的PL谱发现ZnSbO薄膜出现了紫外峰，且随着Sb浓度的增加，所有发光峰的强度相对增大；针对Zn0.98Sb0.02O薄膜，不同的基底生长温度改变了薄膜的紫外和蓝光发射强度，500℃下薄膜具有最好的结晶质量和最强的发光峰；对于500℃下生长的Zn0.98Sb0.02O薄膜，当激发光源波长从325nm变化到300nm，峰位红移，而且紫外峰与蓝光锋强度比由1∶3变为12∶1。据此，可以通过改变Sb掺杂量、生长温度和激发光源波长，从而制备出不同波段、不同强度的发光器件。

• 出版日期2023
• 单位太原学院