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摘要
在超大规模集成电路生产线宽45 nm及以下的注入工艺环节中,离子束注入晶圆角度精度控制变得愈显重要,注入角度的细小差别引起掺杂元素在晶体管中的分布深度和范围的变化,进而导致器件参数和性能的巨大变化。研究表明注入角度控制取决于对注入离子束与晶圆面法线间水平和竖直方向角度测算的精确度;系统能精确测量出离子束注入角度,然后通过补偿驱动旋转靶台到相应需求的角度后注入,满足工艺需求。
- 出版日期2017
- 单位中国电子科技集团公司第四十八研究所
在超大规模集成电路生产线宽45 nm及以下的注入工艺环节中,离子束注入晶圆角度精度控制变得愈显重要,注入角度的细小差别引起掺杂元素在晶体管中的分布深度和范围的变化,进而导致器件参数和性能的巨大变化。研究表明注入角度控制取决于对注入离子束与晶圆面法线间水平和竖直方向角度测算的精确度;系统能精确测量出离子束注入角度,然后通过补偿驱动旋转靶台到相应需求的角度后注入,满足工艺需求。
