InGaAs光电探测器的高频特性研究

作者：王迪; 牛萍娟; 刘宏伟; 刘超

来源：新型工业化, 2020, 10(02): 12-18.

DOI：10.19335/j.cnki.2095-6649.2020.02.003

• PIN光电探测器
• Zn扩散
• 等效电容
• 高频特性

对PIN型光电探测器的结构进行了细致的分析,在器件等效电路的基础上分别划分出各个层的等效电容(包括势垒电容和扩散电容),并根据此结构利用仿真软件进行建模仿真工作得出初步结果,据此进一步分析出由于生长材料时温度过高所带来的本征层的Zn扩散现象引起了层内各个电容的变化,进而影响器件的高频特性,通过改进优化抑制了本征层的Zn扩散现象,得到了高质量的晶体材料,成功量产出InGaAs/InP PIN光电探测器,并测得器件的感光区直径为60μm,反向偏压为-20 V时,暗电流小于1.3 nA,电容约为1.6 pF,在1550 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96A/W以上,3DB带宽达到了10GHZ,高速和高灵敏度光电探测器得以运用在高速大容量光纤通信系统和光学技术等工业领域中。

• 出版日期2020
• 单位天津工业大学; 自动化学院; 天津三安光电有限公司