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Nonpolar p-GaN/n-Si heterojunction diode characteristics: a comparison between ensemble and single nanowire devices
作者：Patsha Avinash; Pandian Ramanathaswamy; Dhara Sandip; Tyagi A K
来源：
Journal of Physics D: Applied Physics
, 2015, 48(39): 395102.
DOI：10.1088/0022-3727/48/39/395102
出版日期
2015-10-7
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