碳化硅纳米晶须的制备研究进展

作者：吴艳军; 蔡炳初; 张亚非; 吴建生

来源：电子元件与材料, 2003, (09): 41-44.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2003.09.015

• SiC纳米晶须
• 制备方法
• 纳米电子材料
• 纳米复合材料 SiC nanorods
• manufacture technology
• nano-electronic material
• nano-composite material

介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气相碳源法(浮动催化剂法,Fe纳米薄膜催化法)等。分析了各种方法的特点及存在的问题。对制备SiC纳米晶须的前景与发展方向进行了评述。

• 出版日期2003
• 单位上海交通大学