4H-SiC基紫外光电探测器研究进展

作者：蔡加法; 吴正云

来源：量子电子学报, 2014, 31(04): 489-501.

DOI：10.3969/j.issn.1007-5461.2014.04.014

• 光电子学
• 4H-SiC
• 紫外光电探测器 optoelectronics
• 4H-SiC
• UV photodetector

介绍了4H-SiC材料用于高温、低电平紫外光电检测的优点,回顾总结了近年来4H-SiC基紫外光电探测器的研究进展,分析了改善4H-SiC基紫外光电探测器性能参数如降低暗电流、提高光电响应度等可采用的各种技术手段,探讨了4H-SiC基紫外光电探测器的发展趋势。

• 出版日期2014
• 单位厦门大学