多次聚合法制备多孔聚吡咯厚膜及其电化学容量性能

作者：王杰; 徐友龙; 孙孝飞; 肖芳; 毛胜春

来源：Acta Physico - Chimica Sinica, 2007, (06): 877-882.

• 聚吡咯
• 超级电容器
• 容量
• 形貌
• 多孔

为了得到高面积比容量的聚吡咯(PPy)膜超级电容器电极材料,用多次聚合法合成了PPy厚膜,聚合电量分别为8、10和12mAh·cm-2,掺杂离子分别为氯离子和对甲基苯磺酸根离子(TOS-).PPy膜的电化学性能采用恒电流充放电、循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)等方法测试.研究表明,多次聚合法可以制备表面平整且内部均匀多孔的PPy厚膜.在聚合电量为12mAh·cm-2时,用Cl-、TOS-两种离子掺杂的PPy厚膜的面积比容量高达5F·cm-2,并表现出理想的电化学容量性能.同时PPy-Cl厚膜的质量比容量达到330F·g-1,PPy-TOS厚膜的质量比容量略低(191F·g-1),但具有更快的充放电速率.与一次聚合法合成的PPy薄膜相比,多次聚合法合成的PPy厚膜的质量比容量没有降低.通过场发射扫描电镜(SEM)观察了一次聚合法和多次聚合法制备的PPy厚膜的截面形貌,并讨论了多次聚合法的合成机理.

• 出版日期2007
• 单位西安交通大学