H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究

作者：臧侃; 于迎辉; 秦志辉; 曹更玉

来源：电子显微学报, 2011, (01): 39-42.

• H
• Si(111)-7×7
• 局域电子态密度(LDOS)
• 单分子振动谱
• 扫描隧道显微镜(STM) H
• Si(111)-7 × 7
• LDOS
• molecule vibration
• STM

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系。H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化。利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸附前后这些位置的LDOS并阐明了产生这些变化的原因,又测量获得了表面单分子Si-H化学键的振动和摆动模式。

• 出版日期2011
• 单位中国科学院武汉物理与数学研究所; 中国科学院大学