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摘要
采用射频磁控反应溅射在金刚石/Si衬底上制备不同Sc含量的ScxAl1-xN薄膜,并研究了Sc掺杂对薄膜沉积速率、表面粗糙度、晶体取向及压电性能的影响。结果表明,薄膜沉积速率随Sc靶功率的增加近似呈线性增长;合适的Sc掺杂能降低ScxAl1-xN薄膜的表面粗糙度,提高AlN的C轴择优取向程度,并增强薄膜的压电性能;在034%范围内Sc的最优掺杂量为19%,此时薄膜整体质量最高,其表面粗糙度为2.95 nm,AlN(002)取向摇摆曲线半高宽为2.8°,压电常数为11.6 pm/V。
- 出版日期2016
- 单位北京科技大学
