4H-SiC中Al离子注入及其二次高温退火技术

作者：郑柳; 潘艳; 夏经华; 刘瑞; 杨霏

来源：微纳电子技术, 2017, 54(04): 268-272.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2017.04.008

• 4H-SiC
• Al离子注入
• 二次高温退火
• 霍尔测试
• 二次离子质谱(SIMS)
• 空穴浓度
• 激活率

在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×1019cm-3,对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试。测试结果显示,二次退火工艺有助于进一步提升Al离子在碳化硅中的有效电激活率。在1 850℃下进行3 min首次退火后,1#样品的有效空穴浓度只有3.23×1017cm-3。在1 850℃下进行3 min的二次退火后,2#样品的有效空穴浓度增大到了6.4×1018cm-3。同时二次退火导致了Al离子总剂量的降低,二次退火时间越长,温度越高,Al离子总剂量降低越显著。

• 出版日期2017
• 单位全球能源互联网研究院