堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型

作者：辛艳辉; 刘红侠; 王树龙; 范小娇

来源：Acta Physica Sinica, 2014, (24): 440-445.

• 应变Si
• 单Halo
• 对称双栅
• 金属氧化物半导体场效应管 strained Si
• single Halo
• symmetrical double-gate
• metal-oxide semiconductor field effect transistor

提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)新器件结构.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压的解析模型.该结构的应变硅沟道有两个掺杂区域,和常规双栅器件(均匀掺杂沟道)比较,沟道表面势呈阶梯电势分布,能进一步提高载流子迁移率;探讨了漏源电压对短沟道效应的影响;分析得到阈值电压随缓冲层Ge组分的提高而降低,随堆叠栅介质高k层介电常数的增大而增大,随源端应变硅沟道掺杂浓度的升高而增大,并解释了其物理机...

• 出版日期2014
• 单位西安电子科技大学; 华北水利水电大学