基于碱金属溶液掺杂的二硫化钼晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于碱金属溶液掺杂的二硫化钼晶体管及制备方法，主要解决现有二硫化钼晶体管接触电阻过高的问题。该晶体管结构包括底栅(1)、介电层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、半导体层(5)。其中：介质层(2)设置于底栅(1)上方，半导体层(5)设于介质层(2)上方，源电极(3)与漏电极(4)设于半导体层(5)的两端，半导体层(5)与源电极(3)之间的接触区域设为源掺杂区域(6)，半导体层(5)与漏电极(4)之间的接触区域设为漏掺杂区域(7)，这两个掺杂区均采用浓度为10％‑30％的氢氧化钾水溶液进行掺杂。本发明降低了二硫化钼晶体管的接触电阻，提高了晶体管的迁移率和开关比，可用于数字电路。

关键词