采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达30 mm×120 mm。晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3~8μm吸收系数0.01 cm-1,光损伤阈值2.0±0.3 J/cm2。利用2.05μmTm,Ho∶CdVO4激光器为泵浦源,脉冲重复频率10 kHz。当泵浦功率16.3 W时,3~5μm光参量振荡输出8.7 W,光-光转换效率为53%,斜率效率为64%。
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