快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)

作者：魏永强刘会云徐波丁鼎梁基本王占国

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2001, (06): 684-688.

• InAs/GaAs量子点
• InGaAs盖层
• 快速热退火 rapid thermal annealing
• InAs quantum dots
• InGaAs overgrowth layer

系统地研究了快速热退火对带有 3nm Inx Ga1 - x As(x=0 ,0 .1,0 .2 )盖层的 3nm高的 In As/ Ga As量子点发光特性的影响 .随着退火温度从 6 5 0℃上升到 85 0℃ ,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的 .但是 ,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于 In Ga As盖层的组分 .实验结果表明 In- Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用 .另外 ,我们在较高的退火温度下观测到了 In Ga As的发光峰

• 出版日期2001
• 单位中国科学院半导体研究所