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摘要
利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布 .结果表明 ,上包层 Si O2 厚度的减小 ,有利于开关速度的提高和功耗的减小 .增加埋层 Si O2 的厚度或引入绝缘槽 ,能有效降低器件功耗 ,但开关时间随之增加 .电极的尺寸对开关性能影响较小 .如果采用全体硅材料制作光开关 ,开关速度能达到 5 μs,但功耗将增至 0 .92 W.
- 出版日期2004
- 单位中国科学院半导体研究所
利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布 .结果表明 ,上包层 Si O2 厚度的减小 ,有利于开关速度的提高和功耗的减小 .增加埋层 Si O2 的厚度或引入绝缘槽 ,能有效降低器件功耗 ,但开关时间随之增加 .电极的尺寸对开关性能影响较小 .如果采用全体硅材料制作光开关 ,开关速度能达到 5 μs,但功耗将增至 0 .92 W.
