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摘要
以硅粉和碳黑为初始原料,通过机械活化和化学活化预处理,实现了Si-C体系在较低温度下燃烧合成SiC．采用XRD、SEM．和EDS等手段,分析了合成产物的相组成和微观结构特征．结果表明:机械活化预处理可使燃烧反应诱发温度降低至1050℃,合成SiC粉体的比表面积为4．36 m2／g,平均粒径<5μm．
- 出版日期2007
- 单位中国科学院理化技术研究所; 中国科学院大学
以硅粉和碳黑为初始原料,通过机械活化和化学活化预处理,实现了Si-C体系在较低温度下燃烧合成SiC．采用XRD、SEM．和EDS等手段,分析了合成产物的相组成和微观结构特征．结果表明:机械活化预处理可使燃烧反应诱发温度降低至1050℃,合成SiC粉体的比表面积为4．36 m2／g,平均粒径<5μm．
