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摘要
应用三维并行蒙特卡罗程序JMCT,计算了特征温度分别为1,3,5,8keV的黑体谱X射线入射到铝、二氧化硅、金的表面的背散射光电产额和电子能谱,并与文献结果进行对比,验证了程序的正确性,进而针对系统电磁脉冲(SGEMP)研究中的典型几何结构——金属圆柱腔体,模拟计算了其在黑体谱X射线照射下的光电输运过程,用温度为1keV、注量为1J/m2的黑体谱X射线平行照射圆柱腔侧面,半个侧面发射光电子,计算得出了和方位角相关的不同面上发射光电子的光电产额、能谱分布和角分布,结果表明掠入射的X射线会产生更高的光电产额;光电子的发射角分布都基本符合余弦角分布的规律。
- 出版日期2019
- 单位北京应用物理与计算数学研究所
