如何获得理想的氮化铝陶瓷是电子陶瓷材料研究领域的重要课题。本研究采用纳米复合添加剂Y2O3-La2O3,分别在1600℃、1650℃、1700℃、1750℃和1800℃下,无压烧结氮化铝陶瓷。测定并分析了AlN陶瓷的性能和微观结构。实验结果表明:烧结温度达到1750℃,就可获得致密烧结,此时AlN晶粒细小均匀,第二相Al2Y4O9、LaAlO3和Y2O3分布在AlN晶界,AlN晶粒内的氧含量很低,AlN陶瓷样品的热扩散率较高。
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