过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

作者：冯玉春; 胡加辉; 张建宝; 王文欣; 朱军山; 杨建文; 郭宝平

来源：人工晶体学报, 2005, (05): 148-151+138.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.05.030

• Si(111)
• GaN
• AlN
• AlGaN Si(111)
• GaN
• AlN
• AlGaN

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶...

• 出版日期2005
• 单位深圳大学